Pat

J-GLOBAL ID：200903049939984083

半導体発光素子

Inventor： 菊川 知之 ,  金谷 康宏 ,  下瀬 佳治
Applicant, Patent owner： アンリツ株式会社
Agent (1)： 小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992361312
Publication number (International publication number)：1994204619
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】多重量子井戸構造の障壁層の正孔拡散速度を増し、各々の量子井戸層への正孔の注入効率を向上させて均一化する。【構成】半導体層の厚み方向に運動する正孔の有効質量が井戸層の有効質量よりも小さい材料でなる障壁層を多重量子井戸構造の内部に有する。また、障壁層を半導体基板と格子不整合し、かつ、井戸層とも不整合している結晶でなるものを用いた。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)と;該半導体基板上に形成された第1の導電型のクラッド層(4)と;該クラッド層の上に形成された井戸層(2)と障壁層(3)とを含む多重量子井戸構造を有する活性領域(5)と;該活性領域の上に形成された第2の導電型のクラッド層(6)とを有するヘテロ構造の半導体素子において、前記多重量子井戸構造は少なくとも層の厚み方向に運動する正孔の有効質量が井戸層のそれよりも小さい有効質量である材料でなる障壁層(3)を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00