ストレーンの絶対測定用の変調されたファイバブラググレーティングストレーンゲージアセンブリ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000591400
Publication number (International publication number)：2002533711
Application date： Dec. 13, 1999
Publication date： Oct. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】とくにストレーンの絶対測定用の変調されたファイバブラググレーティングストレーンゲージアセンブリを提供すること。【解決手段】ストレーンの絶対測定用の変調されたファイバブラググレーティングアセンブリであって、一定の長さの光ファイバの形態をとる少なくとも1つのセンサ素子を含み、このセンサ素子がその長さに沿って光を部分的に反射する手段と、スペクトルの幅が0.1ナノメートルよりも短い特徴をもつビーム光を発生して反射を行う少なくとも1つのセンサ素子へ送る手段と、反射光を受取って処理し光ビームを生成する手段に供給される変調周波数の1倍および2倍に光強度の値を設定する手段と、強度値の比1f:2fからストレーンの絶対方向および大きさを判断する手段とを含むアセンブリ。

Claim (excerpt)：

ストレーンの絶対測定用の変調されたファイバブラググレーティングアセンブリであって、ある長さの光ファイバの形態で少なくとも1つのセンサ素子を含み、このセンサ素子はその長さに沿って、光を部分的に反射する手段と、スペクトルの幅が0.1ナノメートルよりも短い特徴をもつビーム光を発生して反射が行なわれる少なくとも1つのセンサ素子へ送る手段とを含み、その反射が、少なくとも2つの実質的なシヌソイド周期を含む2ないし3ナノメートルの範囲の波長で少なくとも2つの実質的にシヌソイドの周期を含む実質的にシヌソイドの強度変化であり、それにより少なくとも1つのセンサ素子がその上のストレーンから生じる長さの変化を維持し、反射した強度が少なくとも2つのシヌソイド周期に沿って実質的にシヌソイド的に変化するようにし、さらに反射した光を受取って処理し、該光ビームを発生する手段に供給される変調周波数(1f)の1倍(1f)および2倍(2f)に光強度の値を設定する手段と、強度値の比1f:2fからストレーンの絶対方向および大きさを判断する手段とを含むアセンブリ。

IPC (2)：

G01B 11/16 , G01L 1/24

FI (2)：

G01B 11/16 G , G01L 1/24 A

F-Term (20)：

2F065AA65 , 2F065CC00 , 2F065DD03 , 2F065DD06 , 2F065EE00 , 2F065FF41 , 2F065FF48 , 2F065FF51 , 2F065FF61 , 2F065GG04 , 2F065GG06 , 2F065GG21 , 2F065LL00 , 2F065LL02 , 2F065LL42 , 2F065NN01 , 2F065NN08 , 2F065QQ00 , 2F065QQ01 , 2F065QQ26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

光ファイバー干渉ひずみゲージ組立体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-243196 Applicant：ブリテッシュエアロスペースパブリックリミテッドカンパニー
多点型歪み及び温度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-300218 Applicant：日立電線株式会社
顕微鏡
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-116339 Applicant：セイコー電子工業株式会社

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