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J-GLOBAL ID：200903049954280394

半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置

Inventor： 遠藤 歩 ,  本橋 成公 ,  美甘 昌宏 ,  山岸 武
Applicant, Patent owner： 日本電解株式会社
Agent (1)： 穂高 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995310238
Publication number (International publication number)：1997148508
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【目的】 耐湿性あるいは耐熱衝撃性などの信頼性が十分に向上した樹脂封止型半導体装置に好適に用いられる半導体装置用リードフレームを提供する【構成】 リードフレーム本体の全面に、Cu、Zn及びNiから選ばれる少なくとも1種の金属イオンを含む電解液中で限界電流密度を超える電流密度で電解処理して得られる針状若しくは樹枝状の突起状電着物からなる粗化層、Cu、Zn、Ni、In、Mo、Co及びCrから選ばれる少なくとも1種の金属イオンを含む電解液中で限界電流密度以下の電流密度で電解処理して得られる平滑な電着物からなる被覆層を順次設けてなる半導体装置用リードフレーム。

Claim (excerpt)：

リードフレーム本体の全面に、Cu、Zn及びNiから選ばれる少なくとも1種の金属イオンを含む電解液中で限界電流密度を超える電流密度で電解処理して得られる針状若しくは樹枝状の突起状電着物からなる粗化層、Cu、Zn、Ni、In、Mo、Co及びCrから選ばれる少なくとも1種の金属イオンを含む電解液中で限界電流密度以下の電流密度で電解処理して得られる平滑な電着物からなる被覆層を順次設けてなる半導体装置用リードフレーム。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  C25D 7/12

FI (2)：

H01L 23/50 D ,  C25D 7/12