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J-GLOBAL ID：200903049957544490

プラズマシース発生高調波をフィルタリングすることによるプラズマプロセス効率の改善

Inventor： ケネス コリンズ ,  クレイグ ロデリック ,  ダグラス ブクバーガー ,  ジヨン トロー ,  ヴィクター シェル
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997339249
Publication number (International publication number)：1998241895
Application date： Nov. 04, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 プラズマプロセス効率の改善に役立つRFプラズマリアクタを提供する。【解決手段】 本発明に係るRFプラズマリアクタは、RF電力入力端子を有しプラズマ領域に面するRF電力アプリケータと、基本周波数を有しRF電力出力端子を有するRF電力発生器と、RF電力発生器の出力端子とRF電力アプリケータのRF電力入力端子との間に接続されたインピーダンス整合回路網と、インピーダンス整合回路網とRF電力アプリケータのRF電力入力端子との間に接続された高調波インピーダンス素子とを有している。インピーダンス整合回路網は、RF電力アプリケータの方を向いたRF電力入力端子で測定可能な負荷インピーダンスの複素共役に一般的に関係する基本周波数でのインピーダンスを有している。高調波インピーダンス素子は、基本周波数の高調波周波数において、インピーダンス整合回路網の高調波周波数におけるインピーダンスより高いインピーダンスを有している。

Claim (excerpt)：

チャンバ内のプラズマ領域で被処理体を処理するRFプラズマリアクタであって、前記リアクタは、前記プラズマ領域に面するRF電力アプリケータと、基本周波数を有するRF電力発生器と、前記RF電力発生器と前記RF電力アプリケータとの間に接続されたインピーダンス整合回路網と、前記インピーダンス整合回路網と前記RF電力アプリケータとの間に接続された高調波インピーダンス素子と、を備え、(a)前記高調波インピーダンス素子は、前記インピーダンス整合回路網が前記高調波インピーダンス素子と協同して、前記基本周波数において前記チャンバの負荷インピーダンスとの少なくとも近似的なインピーダンス整合をもたらすような前記基本周波数におけるインピーダンスを有しており、(b)前記高調波インピーダンス素子は、前記基本周波数の高調波周波数において、前記インピーダンス整合回路網の前記高周波周波数におけるインピーダンスよりも高いインピーダンスを有しており、これにより前記電極付近のプラズマシースで発生する高調波周波数を前記インピーダンス整合回路網から分離するようになっているリアクタ。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H05H 1/46 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B