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J-GLOBAL ID：200903049957677163

パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法

Inventor： 菅田 祥樹 ,  金子 文武 ,  立川 俊和
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 洋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002080517
Publication number (International publication number)：2003202679
Application date： Mar. 22, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができる被覆形成剤およびこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】 ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと界面活性剤を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤、および該被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法。

Claim (excerpt)：

ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと界面活性剤を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤。

IPC (2)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570

F-Term (6)：

2H096AA25 ,  2H096EA05 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-087282   Applicant：三菱電機株式会社
• 水溶性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-182778   Applicant：クラリアントインターナショナルリミテッド
• レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-098586   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080940   Applicant：三菱電機株式会社