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J-GLOBAL ID：200903049958970026

磁性薄膜の形成方法

Inventor： 上原 裕二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991184449
Publication number (International publication number)：1993036558
Application date： Jul. 24, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は磁気ディスク装置用薄膜磁気ヘッドの磁極などに用いる磁性薄膜の形成方法に関し、高いスパッタガス圧中でのスパッタリング法により表面が平滑で良好な透磁率を有する磁性薄膜を形成することを目的とする。【構成】 スパッタリング法によりFeターゲット4と対向する基材膜22上に鉄を主成分とする磁性薄膜を成膜する際に、その成膜中のスパッタガス圧を5mTorr以上にすると共に、基材膜22側の基板支持電極6にバイアス電圧を印加する。また前記Feターゲット4と対向する基材膜22表面の傾き角度θを30度以下とした構成とする。

Claim (excerpt)：

スパッタリング法によりターゲット(4) と対向する基材(22)上に鉄を主成分とする磁性薄膜を成膜する際に、その成膜中のスパッタガス圧を5mTorr 以上にすると共に、基材(22)側の支持電極(6) にバイアス電圧を印加することを特徴とする磁性薄膜の形成方法。

IPC (4)：

H01F 41/18 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01F 10/14