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J-GLOBAL ID：200903049962183780

層間絶縁膜の形成に用いられる感光性組成物

Inventor： 松尾 英樹 ,  長原 達郎
Applicant, Patent owner： クラリアント ジャパン 株式会社
Agent (1)： 鐘尾 宏紀 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001119452
Publication number (International publication number)：2002311591
Application date： Apr. 18, 2001
Publication date： Oct. 23, 2002
Summary：

【要約】【目的】高耐熱性で低誘電率を有し、半導体装置の層間絶縁膜として適した、あるいはエッチングレジストとして適したパターン状の硬化膜をエッチング技術によることなく簡便に形成する。【構成】(A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物および/またはその部分縮合物、R1n Si(OR2)4-n (1)(R1およびR2は、同一でも異なっていても良く、それぞれ炭素数1〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、nは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される金属キレート化合物、R3t M(OR4)s-t (2)(R3はキレート剤、M金属原子、R4は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、sはMの原子価、tは1〜sの整数を表す。)(C)酸により分解し酸を発生する化合物および(D)光の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とする感光性組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物および/またはその部分縮合物、R1n Si(OR2)4-n (1)(R1およびR2は、同一でも異なっていても良く、それぞれ炭素数1〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、nは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される金属キレート化合物、R3t M(OR4)s-t (2)(R3はキレート剤、Mは金属原子、R4は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、sはMの原子価、tは1〜sの整数を表す。)(C)酸により分解し酸を発生する化合物および(D)光の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とする感光性組成物。

IPC (8)：

G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/06 ,  C08K 5/07 ,  C08L 83/04 ,  C08L 85/00 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/312

FI (9)：

G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/06 ,  C08K 5/07 ,  C08L 83/04 ,  C08L 85/00 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/312 D

F-Term (37)：

2H025AA02 ,  2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025DA40 ,  2H025FA17 ,  4J002CP03W ,  4J002CQ03X ,  4J002ED027 ,  4J002EE047 ,  4J002EQ018 ,  4J002ES008 ,  4J002EU028 ,  4J002EU038 ,  4J002EU188 ,  4J002EV048 ,  4J002EV248 ,  4J002EV288 ,  4J002EV298 ,  4J002FD146 ,  4J002FD148 ,  4J002FD208 ,  4J002GP03 ,  5F058AC03 ,  5F058AC07 ,  5F058AD05 ,  5F058AD08 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AH02