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J-GLOBAL ID：200903049986184940

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 幡 俊雄 ,  筆田 麻祐子 ,  木村 大覚
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001154422
Publication number (International publication number)：2002353506
Application date： May. 23, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 発光透光面にPdを含む透光性電極が形成されており、透光性電極を通して、光を取り出す構造の半導体発光素子において、順方向電圧が低く、発光領域全体で均一に発光し、信頼性が良好な半導体発光素子を提供することにある。【解決手段】 基板上に少なくとも第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層とを備え、更に、第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面上に形成された透光性電極と、この透光性電極上、その側面、および第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面上で前記側面の周囲に隣接する領域を連続的に覆う導電型の膜と、第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面または導電型の膜上に形成されたパッド電極とをそれぞれ備えたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層とを備え、更に、第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面上に形成された透光性電極と、この透光性電極上、その側面、および第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面上で前記側面の周囲に隣接する領域を連続的に覆う導電型の膜と、第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面または導電型の膜上に形成されたパッド電極とをそれぞれ備えたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/323 610

FI (4)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/323 610

F-Term (12)：

5F041AA05 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CB03 ,  5F073AA61 ,  5F073CA01 ,  5F073CB03 ,  5F073CB22 ,  5F073DA23