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J-GLOBAL ID：200903049988886011

酸化物に基づき、化合物半導体膜を製造し、更に関連する電子デバイスを製造する方法

Inventor： ヴァイジェイ ケイ. カプール ,  ビューレント エム. ベイソール ,  クライグ アール. レイドホルム ,  ロバート エイ. ロウ
Applicant, Patent owner： インターナショナル ソーラー エレクトリック テクノロジー,インコーポレイテッド
Agent (1)： 鈴木 郁男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999171880
Publication number (International publication number)：2000058893
Application date： Jun. 18, 1999
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 良好な組成の制御性および均一性を備えた、広い面積の基板上にIB-IIIA-VIA族元素およびそれに関連する化合物の膜を提供する技術を提供すること、並びに、アクティブな電子デバイス、例えば変換効率が10%に近いか、またはそれ以上のソーラー電池の製造に適するような、優れた電子的性質を備えた化合物膜を提供すること。【解決手段】 (a)IB族元素およびIIIA族元素を含む酸化物含有粒子を備えたソース材料を調製する工程と、(b)ベースに前記ソース材料を堆積させ、前記ソース材料から予備的膜を形成する工程と、(c)適当な雰囲気内で前記膜を加熱し、IB族元素およびIIIA族元素の非酸化物を含むプリカーサー膜を形成する工程と、(d)前記プリカーサー膜に適当な材料を提供し、IB-IIIA-VIA族元素の化合物を含む膜を形成する工程とを含んでなる、化合物膜を形成するための方法。

Claim (excerpt)：

(a)IB族元素およびIIIA族元素を含む酸化物含有粒子を備えたソース材料を調製する工程と、(b)ベースに前記ソース材料を堆積させ、前記ソース材料から予備的膜を形成する工程と、(c)適当な雰囲気内で前記膜を加熱し、IB族元素およびIIIA族元素の非酸化物を含むプリカーサー膜を形成する工程と、(d)前記プリカーサー膜に適当な材料を提供し、IB-IIIA-VIA族元素の化合物を含む膜を形成する工程とを含んでなる、化合物膜を形成するための方法。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  C01B 19/00 ,  H01L 21/365

FI (3)：

H01L 31/04 E ,  C01B 19/00 Z ,  H01L 21/365