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J-GLOBAL ID：200903049997828245

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 原 直紀
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994032711
Publication number (International publication number)：1995245389
Application date： Mar. 03, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高電子移動度トランジスタに関し,InGaP 電子供給層とGaAsコンタクト層との間の接触抵抗を低減する。【構成】 半導体基板 1上に積層されたn型Inx Ga1-x P からなる電子供給層 4とn型GaAsからなるコンタクト層 7との間に挿入されたn型Inx Ga1-x P からなるコンタクト層 6を有し, 該n型Inx Ga1-x P からなるコンタクト層 6のエネルギーバンドギャップが該n型Inx Ga1-x P 電子供給層 4のエネルギーバンドギャップより小さい半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1) 上に積層されたn型Inx Ga1-x P からなる電子供給層(4)とn型GaAsからなるコンタクト層(7) との間に挿入されたn型InxGa1-x P からなるコンタクト層(6) を有し,該n型Inx Ga1-x P からなるコンタクト層(6) のエネルギーバンドギャップが該n型Inx Ga1-x P 電子供給層(4)のエネルギーバンドギャップより小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/46 H