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J-GLOBAL ID:200903050005685357

近接場光プローブとその製造方法と光記録再生装置及び近接場光顕微鏡

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 俊郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001171288
Publication number (International publication number):2002365196
Application date: Jun. 06, 2001
Publication date: Dec. 18, 2002
Summary:
【要約】【課題】半導体プロセスで使われている所謂サリサイドを用いて金属化合物膜を作成し、これを遮光膜として近接場を形成する微小開口を容易に形成する。【解決手段】光源から導かれる光により近接場光を発生する微小開口6を有する近接場光プローブ1の微小開口6以外を金属化合物からなる遮光膜5で覆い、微小開口6以外の遮光性を高めるとともに光導波部3との密着性を高める。
Claim (excerpt):
光源から導かれる光により近接場光を発生する微小開口を有する近接場光プローブにおいて、微小開口以外を金属化合物からなる遮光膜で覆ったことを特徴とする近接場光プローブ。
IPC (4):
G01N 13/14 ,  G01N 13/10 ,  G11B 7/135 ,  G12B 21/06
FI (4):
G01N 13/14 B ,  G01N 13/10 G ,  G11B 7/135 A ,  G12B 1/00 601 C
F-Term (11):
5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119AA32 ,  5D119AA43 ,  5D119BA01 ,  5D119BB01 ,  5D119BB03 ,  5D119CA20 ,  5D119EB02 ,  5D119JA34 ,  5D119NA05

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