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J-GLOBAL ID：200903050016070761

マイクロ波プラズマ処理装置

Inventor： 古瀬 宗雄 ,  渡辺 成一 ,  田中 潤一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995123347
Publication number (International publication number)：1996315998
Application date： May. 23, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】マイクロ波プラズマ処理装置において、マグネトロンから発生したマイクロ波をエッチング処理室に効率良く導入し、エッチング処理等を行うウエハ上のプラズマを高密度にすることを可能としたものである。【構成】マイクロ波プラズマ処理装置の、エッチング処理室中のプラズマと大気とを遮断している石英板3の厚さを、マイクロ波の波長の約1/2の整数倍とすることにより、エッチング処理室4内に効率良くマイクロ波のエネルギを供給することができ、エッチング処理等を行うウエハ上のプラズマを高密度にすることを可能とした。【効果】ウェハ10にプラズマ処理を行う際、エッチング処理室4内のプラズマを高密度とすることにより、ウエハのエッチング速度を上昇させることができる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波を利用したプラズマ発生装置と、マイクロ波をエッチング処理室に移送させるマイクロ波の導波管と、減圧可能なエッチング処理室と、エッチング処理室内のプラズマと大気を隔てている、導電材料ではない石英もしくはセラミックス等の真空遮断部でかつマイクロ波透過部と、エッチング処理室にガスを供給するガス供給装置と、プラズマ処理を施すウエハを保持する試料台と、該試料台上に支持されたウエハに高周波を印加する装置と、真空排気装置とより成るプラズマ処理装置において、前記マイクロ波透過部の板厚を、前記マイクロ波透過部材中でのマイクロ波の波長の約1/2の整数倍としたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/302 B