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J-GLOBAL ID：200903050017195940

積層トランス

Inventor： 生田 貴紀 ,  井本 晃
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994297218
Publication number (International publication number)：1996162327
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、絶縁層の剥離を発生させることなく、導体損失を極小化し、磁気結合を向上させることができる積層トンラスを提供する。【構成】 本発明は、複数の絶縁層1a〜1dが積層された積層基板1内に、1次側コイル及び2次側のコイルを配置して成る積層トランスである。前記1次側コイルは、隣接する絶縁層間1a〜1dに形成されたコイルパターン21b〜21d、23b〜23dが互いに接続して成る2つ以上のコイル部A、Cを有しており、この2つ以上のコイル部A、Cの両端部どうしが積層基板1の主面で互いに接続されている。尚、2次側のコイルも同様の構造となっている。

Claim (excerpt)：

複数のコイルパターンを形成した絶縁層を複数枚積層して成る積層基板内に、前記コイルパターンからなり、前記積層基板の主面に端子が導出されたコイルを複数個具備するとともに、前記積層基板の主面に導出された端子間を接続導体により接続して各々が、任意数のコイルから成る1次側コイル及び2次側コイルを形成したことを特徴とする積層トランス。

IPC (3)：

H01F 17/00 ,  H01F 19/00 ,  H01F 30/00