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J-GLOBAL ID：200903050021441514

光磁気記録媒体および光磁気記録方法

Inventor： 田中 努 ,  橋本 康宣
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992045446
Publication number (International publication number)：1993250743
Application date： Mar. 03, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光磁気記録媒体および該媒体を用いた光磁気記録方法に関し、初期化磁場、記録磁場を必要とせず、完全無磁場でオーバーライトが可能な光磁気記録媒体および光磁気記録方法の提供を目的とする。【構成】 基板1上に垂直磁気異方性を有し、希土類-遷移金属より成る磁性層を、メモリ層3、記録層4、記録時に必要な浮遊磁場を発生するバイアス層5、該バイアス層5と前記記録層4とを初期化する初期化層6として設け、前記各々の磁性層は交換結合をなし、完全無磁場でオーバーライトを可能とすることで構成する。

Claim (excerpt)：

基板(1) 上に垂直磁気異方性を有し、希土類-遷移金属より成る磁性層により、メモリ層(3) 、記録層(4) 、記録時に必要な浮遊磁場を発生するバイアス層(5) 、該バイアス層と前記記録層とを初期化する初期化層(6) を設け、各々の磁性層は交換結合をし、完全無磁場でオーバーライトが可能なことを特徴とする光磁気記録媒体。