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J-GLOBAL ID:200903050046471558

ガス検出素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997087309
Publication number (International publication number):1998267880
Application date: Mar. 24, 1997
Publication date: Oct. 09, 1998
Summary:
【要約】【課題】 簡便に扱える酸化第二スズペーストを用いてガス検出素子を製造する。【解決手段】 酸化第二スズを粉砕して、得られた酸化第二スズ粉末をスラリーとして、コロイド状シリカおよび低分子量のポリエチレングリコール(分子量200から600)をそれぞれ所定量添加して液相で混合し、真空凍結乾燥して酸化第二スズペーストを得、所定の基板に塗布し、得られた素子膜を所定の温度で焼成し、感応膜とする製造方法である。その結果、ペーストの取り扱いが簡便となり、マスク板の目詰まりも起こらず、さらに、調整が固液混合系ではなく液液混合系となり、配分等が行いやすい。
Claim (excerpt):
酸化第二スズを粉砕して、粒径調整された酸化第二スズ粉末を得る第1工程と、上記酸化第二スズ粉末に、コロイド状シリカおよび低分子量のポリエチレングリコールをそれぞれ所定量添加混合し、乾燥して酸化第二スズペーストを得る第2工程と、上記酸化第二スズペーストを所定の基板に塗布し、素子膜を得る第3工程と、上記素子膜を所定の温度で焼成し、感応膜とする第4工程と、を有することを特徴とするガス検出素子の製造方法。

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