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J-GLOBAL ID：200903050048615697

B▲下2▼H▲下6▼を用いた低抵抗率タングステン

Inventor： ラヤゴパラン,ラヴィ ,  ガーナイェム,スティーヴ ,  山崎 学 ,  大塚 圭一 ,  前田 祐二
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998549637
Publication number (International publication number)：2001525889
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Dec. 11, 2001
Summary：

【要約】基板(16)上にタングステン層を堆積するためのマルチステップ化学気相堆積プロセス。第1のステップは核形成のステップを含んでおり、これは、WF6及びSiH4を堆積チャンバ内に流入する(ステップ200)次いで、WF6ガス及びSiH4ガスの流入を停止し、ジホランをチャンバ内(12)に5〜25秒間流入する(ステップ210)。そして、バルク堆積のステップ220では、WF6を、H2及びB2H6と共にチャンバ内に導入し、基板上にタングステン層を抵抗率する(ステップ220)。好ましい具体例では、バルク堆積において窒素をプロセスガスに導入する。

Claim (excerpt)：

基板上にタングステンの層を堆積するための化学気相堆積プロセスであって、 (a)堆積領域に基板を置くステップと、 (b)III族元素水素化物又はIV族元素水素化物を前記堆積領域へと導入し、タングステン含有ソースは前記堆積領域へ導入しない第1の堆積ステージを行うステップと、 (c)前記第1の堆積のステージの後の第2の堆積のステージであって、 (i)タングステン含有ソースと、III族水素化物又はIV族水素化物と、還元剤とを含むプロセスガスを、前記堆積領域へ導入し、 (ii)前記堆積領域を、前記基板上にタングステンの層を堆積するために適するプロセス条件に維持する第2の堆積のステージを行うステップとを有する化学気相堆積プロセス。

IPC (3)：

C23C 16/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (3)：

C23C 16/08 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R