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J-GLOBAL ID:200903050057272387

レベル変換回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994187268
Publication number (International publication number):1996051351
Application date: Aug. 09, 1994
Publication date: Feb. 20, 1996
Summary:
【要約】【目的】負ゲート消去型のフラッシュメモリにおける行デコード回路に用いるのに好適なレベル変換回路を提供することを目的としている。【構成】2つの反転回路の入力端と出力端どうしを接続してラッチ回路を形成し、これら入出力端の接続点N1,N2と接地点間にそれぞれ2つのNチャネル型MOSトランジスタQ16,Q15及びQ18,Q17を直列接続している。各反転回路は電位VH とVL との間の電圧で動作する。接地点側のトランジスタQ16,Q18には、高レベルが電源Vcc、低レベルが電位VL の制御信号ERSを供給し、接続点N1,N2側のトランジスタQ15,17には互いに反転の関係にある入力信号IN,/INを供給する。上記接続点N1,N2の少なくとも一方から出力信号/OUT,OUTを得ることを特徴としている。“H”レベル側と“L”レベル側のレベル変換を一段で実現でき、入力信号のラッチ動作も可能である。
Claim (excerpt):
第1の電位供給源の電位と第2の電位供給源の電位との間の電圧を電源として動作する第1の反転手段と、入力端が上記第1の反転手段の出力端に接続され、出力端が上記第1の反転手段の入力端に接続され、上記第1の電位供給源と上記第2の電位供給源との間の電圧を電源として動作する第2の反転手段と、上記第1の反転手段の入力端と第3の電位供給源との間に直列接続された第1導電型の第1,第2トランジスタと、上記第2の反転手段の入力端と上記第3の電位供給源との間に直列接続された第1導電型の第3,第4トランジスタと、第1の制御信号の低レベルを上記第2の電位供給源の電位に変換して上記第1,第3トランジスタに供給して制御する制御手段と、高レベルが第4の電位供給源の電位、低レベルが上記第3の電位供給源の電位の入力信号が供給され、この入力信号の反転信号を上記第4トランジスタに供給して制御する論理手段とを具備し、上記第2トランジスタに上記入力信号を供給して制御し、上記第1の反転手段の出力端及び上記第2の反転手段の出力端の少なくとも一方から出力信号を得ることを特徴とするレベル変換回路。
IPC (4):
H03K 19/0185 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2):
H03K 19/00 101 D ,  H01L 29/78 371

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