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J-GLOBAL ID：200903050059849762
シリコン単結晶の製造方法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991081837
Publication number (International publication number)：1993070283
Application date： Mar. 20, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 酸化膜耐圧の優れたシリコン単結晶を高収率で安定に製造しかつ当該結晶の生産性を向上する。【構成】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するに際し、成長するシリコン単結晶の結晶温度1150°C以上の温度領域がシリコン溶融液上方に280mm以上となるように引上条件を設定してシリコン単結晶を引き上げるようにした。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するに際し、成長するシリコン単結晶の結晶温度1150°C以上の温度領域がシリコン溶融液上方に280mm以上となるように引上条件を設定してシリコン単結晶を引き上げるようにしたことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 15/14
, C30B 29/06 502
Cited by examiner (7)
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