Pat

J-GLOBAL ID：200903050065405205

プラズマ処理装置

Inventor： 石井 信雄
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993273141
Publication number (International publication number)：1995106095
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高周波アンテナに高周波電力を印加して得られたプラズマにより例えば半導体ウエハにプラズマ処理する装置において、装置の小型化及び簡素化を図ること。【構成】 導電性材質よりなる接地された気密なチャンバ2内に、渦巻き状のコイルよりなる高周波アンテナ6を設ける。このアンテナ6は、内面及び外面が耐食性材料で被覆された管状体により構成され、外端に処理ガス供給管7が接続されると共に、管状体にはコイルに沿ってガスの吹き出し穴71が構成されている。高周波アンテナから電波が発生してもチャンバ2がシールド体となっているので、外部に別途シールド体を設けなくて済み、またアンテナ6とガス供給部を兼用しているので装置の小型化、簡素化が図れる。

Claim (excerpt)：

気密構造のチャンバ内に載置台を設け、前記チャンバ内に処理ガスを導入してプラズマ化し、そのプラズマにより載置台上の被処理体を処理するプラズマ処理装置において、接地された導電性材質よりなるチャンバの中に前記載置台に対向して設けられた平面状のコイルよりなる高周波アンテナと、この高周波アンテナに高周波電力を印加するための高周波電源部と、を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68 ,  H01Q 9/27

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 H