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J-GLOBAL ID:200903050067463423

2層金属めっきダイヤモンド微粒子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 進藤 満
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995041296
Publication number (International publication number):1996209360
Application date: Feb. 06, 1995
Publication date: Aug. 13, 1996
Summary:
【要約】【目的】 粒径が0.1〜10μmのダイヤモンド微粒子への金属めっきを可能にするとともに、ダイヤモンド工具作製の際の加熱処理で黒鉛化、熱応力の生じにくいダイヤモンド微粒子の製造方法を提供する。【構成】 金属めっきダイヤモンド微粒子は、粒径が0.1〜10μmのダイヤモンド微粒子の表面にスパッタリング法でめっき後重量の1〜10mass%のWめっきを施した後、無電解めっき法によりめっき後重量の20〜50mass%のNi-P合金めっきを施す。スパッタリング法によるWめっきは密閉された回転ドラム中でその回転によりダイヤモンド微粒子を流動させながら行い、無電解めっき法によるNi-P合金めっきは水溶液中で行う。
Claim (excerpt):
粒径が0.1〜10μmのダイヤモンド微粒子の表面に第1層としてスパッタリング法によりめっき後重量の1〜10mass%のWめっきを施した後、第2層として無電解めっき法によりめっき後重量の20〜50mass%のNi-P合金めっきを第1層の上に施したことを特徴とする2層金属めっきダイヤモンド微粒子。
IPC (4):
C23C 28/02 ,  C23C 14/14 ,  C23C 18/50 ,  C23C 28/00

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