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J-GLOBAL ID：200903050070711276

光導波路の製造方法

Inventor： 西本 裕
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993136352
Publication number (International publication number)：1994347657
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 大口径Si基板上に光導波路形成に必要な厚さの石英系材料が堆積でき、またあらかじめ半導体レーザ用の電極や電気配線などをSi基板に形成しておくことができるような低温での石英系材料の堆積を可能にする光導波路の製造方法を提供する。【構成】 常圧CVD法により石英系光導波路材料を堆積する方法において、チャンバ2内でテトラエトキシシラン、テトラメチルオルソシリケート、トリエチルボレート、トリメチルホスファイト、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリメチルボレート、テトラメトキシゲルマニウムなどの有機材料ソースを用い、有機材料ソースをオゾンにより分解し、石英系光導波路材料を基板1上に堆積し、光導波路のコア及びクラッドをなす石英系光導波路材料に3mol%以上の燐(P)をドーピングしている。

Claim (excerpt)：

石英系材料よりなる光導波路の製造方法において、常圧CVD法により石英系光導波路材料を堆積することを特徴とする光導波路の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特表昭63-500272
  
• 特開平3-220506
  
• 特開昭63-303305