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J-GLOBAL ID：200903050074937244

超小型電子半導体構造部材の製造法

Inventor： エッケハルト ニーマン ,  ディーター パンクニン ,  ヴォルフガング スコルーパ ,  ハンス ヴィルト
Applicant, Patent owner： ダイムラークライスラー アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000533893
Publication number (International publication number)：2002505520
Application date： Dec. 19, 1998
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：

【要約】本発明は、殊に炭化珪素からの微小電子半導体構造部材の製造法に関するものであるが、この場合、反動対中のドープされた領域は、イオン注入によって製造され、半導体中の照射損傷は、引き続き、電位線を用いる照射によって回復させられ、その際、半導体は、本質的に全面的に光線のパルス状の作用によって照射され、かつ少なくともドープされた領域において加熱される。

Claim (excerpt)：

半導体中でドープされた領域を、イオン注入によって製造し、引き続き半導体中の照射損傷を電磁線を用いる照射によって回復させる超小型電子半導体構造部材、殊に炭化珪素の製造法において、該半導体に、その表面に、本質的に全面的に光学的放射の作用によって照射し、少なくともドープされた領域では加熱させるが、この場合、光線が当てられた表面の全ての場所が同時に照射されることを特徴とする、超小型電子半導体構造部材の製造法。