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J-GLOBAL ID:200903050075411475
半導体装置用リードフレーム
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
鈴江 武彦 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998135182
Publication number (International publication number):1999036028
Application date: May. 18, 1998
Publication date: Feb. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 打抜加工性、耐食性、曲げ加工性、耐応力腐食割れ性、強度、導電性、製造加工性などに優れた半導体装置用リードフレームを提供することを目的とする。【解決手段】 Znを5〜35wt%、Snを0.1〜3wt%含み、残部Cuと不可避的不純物からなり、結晶粒度が5〜35μmの銅合金部材上に、Pdが層状に形成されていることを特徴とする。また、この銅合金は、更に、Pb、Bi、Se、Te、Ca、Srおよび希土類元素からなる群より選ばれた1種又は2種以上を総計で0.001〜0.5wt%、更にまた、Ni、Si、Cr、Zr、Fe、Co、Mn、Al、Ag、MaおよびPからなる群より選ばれた1種又は2種以上を総計で0.001〜1wt%含むことが出来る。
Claim (excerpt):
Znを5〜35wt%、Snを0.1〜3wt%含み、残部Cuと不可避的不純物からなり、結晶粒度が5〜35μmの銅合金部材上に、Pdが層状に形成されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
IPC (3):
C22C 9/04
, H01L 23/48
, H01L 23/50
FI (3):
C22C 9/04
, H01L 23/48 V
, H01L 23/50 V
Patent cited by the Patent: