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J-GLOBAL ID：200903050077300190

スピン・バルブ・センサ用3層シード層構造体

Inventor： ツァン・リン ,  ダニエル・モーリ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000327713
Publication number (International publication number)：2001195710
Application date： Oct. 26, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 スピン・バルブ・センサに関し、磁気特性、巨大磁気抵抗特性、および熱安定性を改善する。【解決手段】 スピン・バルブ・センサ300において、第1の再生ギャップ層216と強磁性のフリー層202との間に3層シード層構造体302を設ける。反強磁性のピン止め層214にはニッケル・マンガン(Ni-Mn)を用いるのが望ましい。3層シード層構造体302は、第1の金属酸化物から成る第1のシード層304、第2の金属酸化物から成る第2のシード層306、および非磁性金属から成る第3のシード層308を備えている。好ましい実例では、第1のシード層304が酸化ニッケル(NiO) から成り、第2のシード層306がニッケル・マンガン酸化物(NiMnOx)から成り、かつ、第3のシード層308が銅(Cu)から成る。

Claim (excerpt)：

信号磁界に応答して始めの方向から自由に回転することのできる磁化を有する強磁性のフリー層と、磁化を有する強磁性の被ピン止め層と、前記フリー層と前記被ピン止め層との間に設けられた非磁性導電性のスペーサ層と、前記被ピン止め層に接触し、かつ、前記被ピン止め層と交換結合して前記被ピン止め層の磁化をピン止めしている反強磁性のピン止め層と、第1のシード層と、前記強磁性のフリー層に隣接する第3のシード層と、前記第1のシード層と前記第3のシード層との間に設けられた第2のシード層とを備えた3層シード層構造体とを備えたスピン・バルブ・センサを備えた磁気再生ヘッド。

IPC (6)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/00 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R