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J-GLOBAL ID：200903050079789995

半導体装置

Inventor： シレセン ヨハネス フランシスカス マリア ,  ブロム パウラス ヴィルヘルムス マリア ,  ヴォルフ ロナルド マルティン ,  ヒースベルス ヤコブス ベルナルダス
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外6名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997508258
Publication number (International publication number)：1999505377
Application date： Jul. 26, 1996
Publication date： May. 18, 1999
Summary：

【要約】本発明は透明材料の2つの接続電極(2,3)と、透明絶縁層(6)によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極(5)が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子(1)が設けられた半導体装置に関する。本発明によれば、前記半導体材料は、伝導帯(11)と2.5eV以上の電子の価電子帯(12)との間にバンドギャップ(10)を有し、塩基性材料の価電子帯(12)または伝導帯(11)に、あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位(13)を形成するドーパント原子が設けられた10cm2/Vs以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具える。本発明による縮退半導体材料は透明である。その理由は可視光の吸収が大きなバンドギャップ(10)のため、不可能であり、しかも、不純物エネルギー準位(13)を経て可視光が吸収されない。本発明半導体装置は比較的速いスイッチングを行うことができる。

Claim (excerpt)：

透明材料の2つの接続電極と、透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置において、前記半導体材料は、伝導帯と2.5 eV以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し、塩基性材料の価電子帯または伝導帯に、あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10cm2/Vs以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/146

FI (3)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 27/14 A ,  H01L 29/78 612 Z