Pat
J-GLOBAL ID：200903050080389941

亜酸化窒素の分解触媒、それを備える亜酸化窒素の分解装置およびそれを用いる亜酸化窒素の分解方法

Inventor：
田中 義久

About 田中 義久


Applicant, Patent owner：
日新電機株式会社

About 日新電機株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007191089
Publication number (International publication number)：2009022929
Application date： Jul. 23, 2007
Publication date： Feb. 05, 2009
Summary：
【課題】簡便かつ低コストで亜酸化窒素を分解し得る分解触媒およびそれを備える小型の亜酸化窒素の分解装置ならびに前記分解触媒を用いる亜酸化窒素の分解方法を提供することを課題とする。【解決手段】水素の酸化触媒成分と亜酸化窒素の還元触媒成分とが、両触媒成分間を電子が移動し得るように接合され、かつ前記接合とは別個に両触媒成分間をプロトンが移動し得るプロトン導電性固体電解質で接合されてなることを特徴とする水素の存在下で亜酸化窒素を分解する亜酸化窒素の分解触媒により、上記の課題を解決する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
水素の酸化触媒成分と亜酸化窒素の還元触媒成分とが、両触媒成分間を電子が移動し得るように接合され、かつ前記接合とは別個に両触媒成分間をプロトンが移動し得るプロトン導電性固体電解質で接合されてなることを特徴とする水素の存在下で亜酸化窒素を分解する亜酸化窒素の分解触媒。
IPC (3)：
B01J 31/28 ,  B01D 53/94 ,  F01N 3/10
FI (5)：
B01J31/28 A ,  B01D53/36 102B ,  B01D53/36 102D ,  B01D53/36 102F ,  F01N3/10 A
F-Term (79)：
3G091AA02 ,  3G091AB01 ,  3G091AB14 ,  3G091BA01 ,  3G091BA13 ,  3G091GA09 ,  3G091GA10 ,  3G091GB01W ,  3G091GB05W ,  3G091GB06W ,  3G091GB07W ,  4D048AA06 ,  4D048AA07 ,  4D048AB03 ,  4D048AC01 ,  4D048BA02Y ,  4D048BA05X ,  4D048BA07Y ,  4D048BA08Y ,  4D048BA15Y ,  4D048BA16Y ,  4D048BA19Y ,  4D048BA20Y ,  4D048BA21Y ,  4D048BA23Y ,  4D048BA25Y ,  4D048BA28Y ,  4D048BA30X ,  4D048BA31Y ,  4D048BA32Y ,  4D048BA33Y ,  4D048BA35Y ,  4D048BA36Y ,  4D048BA37Y ,  4D048BA38X ,  4D048BB02 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA11 ,  4G169BA08B ,  4G169BA22A ,  4G169BA22B ,  4G169BB06A ,  4G169BC09A ,  4G169BC12A ,  4G169BC13A ,  4G169BC21A ,  4G169BC22A ,  4G169BC31A ,  4G169BC35A ,  4G169BC36A ,  4G169BC43A ,  4G169BC50A ,  4G169BC51A ,  4G169BC54A ,  4G169BC58A ,  4G169BC62A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC68B ,  4G169BC70A ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BE22B ,  4G169BE34A ,  4G169BE34B ,  4G169CA03 ,  4G169CA08 ,  4G169CA13 ,  4G169EA19 ,  4G169EC23 ,  4G169FA01 ,  4G169FB14 ,  4G169FB23 ,  4G169FC08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM