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J-GLOBAL ID：200903050084571302

フィールドプレート構造の形成方法および半導体装置

Inventor： 穂永 美紗子 ,  原田 真 ,  藤川 一洋
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005244582
Publication number (International publication number)：2007059711
Application date： Aug. 25, 2005
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

【課題】 1回のリソグラフィによりフィールドプレート構造を形成できる方法を提供する。【解決手段】 基板の主表面に形成される動作層と、動作層上に形成される絶縁層と、動作層および絶縁層の双方に接続する電極とを有するフィールドプレート構造の形成方法であって、基板の主表面に動作層を形成する工程と、動作層上に電気絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に感光性の熱収縮性有機物層を形成する工程と、感光性の有機物層をリソグラフィによりパターン化する工程と、パターン化した有機物層をマスクとして絶縁層をエッチングする工程と、有機物層を加熱により収縮させる工程と、電極材料層を形成する工程と、熱収縮した有機物層を除去する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板の主表面に形成される動作層と、該動作層上に形成される絶縁層と、前記動作層および前記絶縁層の双方に接続する電極とを有するフィールドプレート構造の形成方法であって、 基板の主表面に動作層を形成する工程と、 前記動作層上に電気絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層上に感光性の熱収縮性有機物層を形成する工程と、 感光性の前記有機物層をリソグラフィによりパターン化する工程と、 パターン化した有機物層をマスクとして前記絶縁層をエッチングする工程と、 前記有機物層を加熱により収縮させる工程と、 電極材料層を形成する工程と、 熱収縮した前記有機物層を除去する工程と を備えることを特徴とするフィールドプレート構造の形成方法。

IPC (8)：

H01L 29/41 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861

FI (8)：

H01L29/44 Y ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 D

F-Term (16)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD68 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-094820   Applicant：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
• 特開平1-136366号公報