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J-GLOBAL ID：200903050085271019
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992013393
Publication number (International publication number)：1993206513
Application date： Jan. 28, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ZnO基板またはSiC基板上にバッファ層を介してIn<SB>1-x</SB>(Ga<SB>y</SB>Al<SB>l-y</SB>)<SB>x</SB>N層(但し、0<x≦1、0<y≦1)を成長することにより、格子歪による欠陥を減少させて発光率を向上させ、かつ駆動電圧の低いLEDを得る。【構成】 ZnO基板またはSiC基板1上に成長されたバッファ層2と、このバッファ層2上に成長されたIn<SB>1-x</SB>(Ga<SB>y</SB>Al<SB>l-y</SB>)<SB>x</SB>N層(但し、0<x≦1、0<y≦1)3、4と、を有する半導体発光素子。バッファ層2は、(a)AlN層、(b)In<SB>1-x</SB>(Ga<SB>y</SB>Al<SB>1-y</SB>)<SB>x</SB>N層とAlN層とが交互に成長されてなる多層体、または(c)AlN層と前記多層体との積層体である。
Claim (excerpt)：
ZnO基板またはSiC基板上に成長されたバッファ層と、該バッファ層上に成長されたIn<SB>1-x</SB>(Ga<SB>y</SB>Al<SB>l-y</SB>)<SB>x</SB>N層(但し、0<x≦1、0<y≦1)と、を有する半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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