シリコン単結晶ウエ-ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ-ハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999050396
Publication number (International publication number)：1999322491
Application date： Feb. 26, 1999
Publication date： Nov. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 CZ法によって作製されるシリコン単結晶ウエーハにおける、結晶欠陥の成長を抑制し、特にウエーハの表面積での結晶欠陥を低減すると共に、ウエーハのバルク部では酸素の析出を促進することによって、充分なIG効果を有するシリコン単結晶ウエーハを、高生産性で作製する製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに熱処理を加えてウエーハ表面の窒素を外方拡散させることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。およびこの方法によって製造されたシリコン単結晶ウエーハ。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに熱処理を加えてウエーハ表面の窒素を外方拡散させることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/06 , H01L 21/304 611 , H01L 21/322 , H01L 21/324

FI (4)：

C30B 29/06 B , H01L 21/304 611 Z , H01L 21/322 Y , H01L 21/324 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-201762 Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
特開昭60-251190
単結晶引上げ方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-062248 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社

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