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J-GLOBAL ID：200903050098421478

光学素子

Inventor： 桑野 泰彦 ,  斎藤 誠一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993205571
Publication number (International publication number)：1995041395
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 希土バナデイトを用いた高性能な光学素子を実現する。【構成】 希土バナデイト(化学式:RVO4,式中、Rは希土類元素を示す。)単結晶あるいは不純物を含む希土バナデイト単結晶を素材とする光学素子を作製するにあたり、a軸方向に育成された単結晶を素材として加工する。

Claim (excerpt)：

希土バナデイト(化学式:RVO4,式中、Rは希土類元素を示す。)単結晶および不純物を添加した希土バナデイト単結晶を素材とする光学素子であって、a軸方向に育成された希土バナデイト単結晶または不純物添加希土バナデイト単結晶を加工して作製されたことを特徴とする希土バナデイト光学素子。

IPC (5)：

C30B 29/30 ,  C30B 15/04 ,  C30B 15/36 ,  G02B 5/30 ,  G02B 27/28