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J-GLOBAL ID：200903050098788312

リチウム2次電池用アノード薄膜及びその製造方法

Inventor： 朴 永 信 ,  ▲ご▼ 柱 列 ,  白 弘 九 ,  李 ▲せい▼ 滿
Applicant, Patent owner： 三星エスディアイ株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002239309
Publication number (International publication number)：2003115294
Application date： Aug. 20, 2002
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 集電体及びその上部に形成されたアノード活物質層を具備しているリチウム2次電池用アノード薄膜を提供する。【解決手段】 アノード活物質層は、リチウムと反応せずにシリコンと反応する金属よりなる基体にシリコンが分散したシリコン-金属(Si-M)層及び銀(Ag)層が積層された多層薄膜であることを特徴とする。よって、充放電中に起こるシリコンの体積膨脹及び収縮を抑えてサイクル特性を大幅に向上できる。従って、この薄膜アノードを採用すれば、電極と電解質との間の界面の化学的な安定性及び機械的な安定性が大幅に改善されて寿命特性が向上したリチウム2次電池を製造できる。

Claim (excerpt)：

集電体及びその上部に形成されたアノード活物質層を具備しているリチウム2次電池用アノード薄膜において、前記アノード活物質層が、リチウムと反応せずにシリコンと反応する金属よりなる基体にシリコンが分散したシリコン-金属層及び銀層が積層された多層薄膜であることを特徴とするリチウム2次電池用アノード薄膜。

IPC (5)：

H01M 4/02 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/66 ,  H01M 10/40

FI (5)：

H01M 4/02 D ,  H01M 4/04 A ,  H01M 4/38 Z ,  H01M 4/66 A ,  H01M 10/40 Z

F-Term (35)：

5H017AA03 ,  5H017AS02 ,  5H017AS10 ,  5H017BB16 ,  5H017CC01 ,  5H017DD05 ,  5H017EE01 ,  5H017EE04 ,  5H017HH03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL12 ,  5H029AM03 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ07 ,  5H029DJ17 ,  5H029EJ01 ,  5H029HJ01 ,  5H029HJ04 ,  5H050AA07 ,  5H050BA16 ,  5H050CA08 ,  5H050CB11 ,  5H050DA03 ,  5H050DA04 ,  5H050DA06 ,  5H050FA02 ,  5H050FA18 ,  5H050FA19 ,  5H050GA24 ,  5H050HA01 ,  5H050HA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 非水二次電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-165501   Applicant：富士写真フイルム株式会社