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J-GLOBAL ID:200903050103571459

光半導体モジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山内 梅雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991340752
Publication number (International publication number):1993173045
Application date: Dec. 24, 1991
Publication date: Jul. 13, 1993
Summary:
【要約】【目的】 耐熱性に優れた信頼性の高い光半導体モジュールを提供する。【構成】 光半導体モジュールは、レーザダイオード30等の光半導体素子と、集光用レンズ33と、光学ガラスでできたプリズム等の光学素子とから構成されており、これらの各部分はシリコン等で作製された基板37上に実装配置されている。光半導体素子は基板37上に形成された位置決め、固定と電極を兼ね備えた金属薄膜状に固定し、集光用レンズ33と光学素子も基板37上に形成された溝38、39に配置固定されている。基板37上のプリズム溝39に配置された光学素子と基板37とは、この光学素子と基板37との間に配置された低融点ガラスペレット43にレーザビーム44を照射して溶融することにより固定されている。
Claim (excerpt):
光を分岐・結合する機能を有するフィルタを具備した光学素子と、少なくとも2つの光半導体素子と、各光半導体素子の前面に配置されたレンズとを具備し、前記各半導体素子が光学素子とレンズを介して光ファイバと光学的に結合されてなる光半導体モジュールにおいて、前記光半導体素子とレンズと光学素子が同一基板上に配置固定され、かつこの基板と前記光学素子との間に低融点ガラスペレットを配置し、レーザビームをこの低融点ガラスペレットに照射して加熱、溶融することにより前記基板と光学素子を固定するよう構成したことを特徴とする光半導体モジュール。
IPC (2):
G02B 6/42 ,  G02B 6/28

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