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J-GLOBAL ID：200903050117648764

面発光レーザダイオードの製造方法,及び面発光レーザダイオード

Inventor： 森 健三
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994223329
Publication number (International publication number)：1995312462
Application date： Sep. 19, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 活性層近傍の、電流ブロック層と上クラッド層間等での無効電流の流れない垂直共振器型面発光レーザダイオードを製造する。【構成】 {100}面を有する半導体基板1上に〈011〉方向,及び〈01/1〉方向の2辺をもつ矩形開口部10を有する選択成長用マスク9を形成し、上記基板1上に選択成長によりそのメサ部の頂上が〈011〉方向の稜線で終端するような活性層3を含むメサ部を形成し、上記マスク9を除去した後、4つの{111}B面で結晶成長が停止することを利用して、電流ブロック層5,7,及びコンタクト層8を成長する。【効果】 ウェットエッチングを用いることなく、形状制御性の良いMOCVD法により半導体層を形成して、メサ構造近傍での無効電流の抑制を可能とした。

Claim (excerpt)：

垂直共振器型の面発光レーザダイオードを製造する方法において、{100}面〔(100)面を含むこれと等価な面〕を有する半導体基板上に、〈011〉方向〔[011]方向と等価な方向〕,及び〈01/1〉方向〔[01/1]方向と等価な方向〕の辺をもつ矩形開口を有する選択成長用マスクを形成する工程と、上記半導体基板上の上記選択成長用マスクの矩形開口上に、選択成長により、4つの{111}B面〔(111)B面を含むこれと等価な方向〕を有し、そのメサ部の頂上部が、〈011〉方向〔[011]方向を含むこれと等価な方向〕の稜線にて終端するような,活性層を含む半導体層よりなるメサ部を形成する工程と、上記選択成長用マスクを除去する工程と、上記選択成長用マスクを除去して露出した上記半導体基板上に、電流ブロック層,及びコンタクト層を成長させ、その際上記半導体層よりなるメサ部の4つの{111}B面〔(111)B面を含むこれと等価な面〕では結晶成長が停止するような成長を行わせる工程と、上記半導体基板に、その裏面よりエッチングを行って面発光出力の出力用の開口を形成する工程とを含むことを特徴とする面発光レーザダイオードの製造方法。