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J-GLOBAL ID：200903050122817558

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

Inventor： 田牧 真人 ,  小滝 正宏 ,  森 正樹
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991201305
Publication number (International publication number)：1993021845
Application date： Jul. 16, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 GaN 系の化合物半導体の発光ダイオードの製造方法における同一面側の正負一対の電極形成における工程の簡略化を図ると共に発光ダイオードの青色の発光領域の部位における発光ムラをなくし、その発光強度を向上すること。【構成】 発光ダイオード10はi層5上の中央部にi層5の電極7とその周囲にi層5上から高キャリヤ濃度n+ 層3の側面に接続するように高キャリヤ濃度n+ 層3の電極8が形成されている。これにより、発光ダイオードは、従来の電極を形成するための孔が廃止でき、その製造工程が簡素化される。又、発光ダイオード10の電極7,8は電極間距離をほぼ等しくして電極間を流れる電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じとすることが可能である。すると、発光ダイオード10は青色の発光領域における発光ムラがなくなり発光光度が向上される。

Claim (excerpt)：

n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るn層と、p型不純物を添加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、前記n層と前記i層との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに前記i層側から前記n層が露出するように切り込みを入れた後、前記i層及び切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属層をエッチングして前記i層上に前記i層及び前記n層の電極を形成した後、前記i層及び前記n層の一対の電極をそれぞれ有するように完全に切り離し個片とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-093544
  
• 特開昭56-150880