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J-GLOBAL ID：200903050131297940

導電性ダイヤモンド及び導電性ダイヤモンド形成方法

Inventor： 難波 暁彦 ,  関 裕一郎 ,  今井 貴浩
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (5)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  阿部 豊隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002183292
Publication number (International publication number)：2004031022
Application date： Jun. 24, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】ダイヤモンドが持つ電気化学的な耐久性を維持しつつ、良好な導電性が得られる導電性ダイヤモンドを提供する。【解決手段】CH4(メタン)をH2で希釈した第1原料ガス、B(OCH3)3(硼酸トリメチル)をアルゴンガスでバブリングした第2原料ガス及び窒素をH2で希釈した第三原料ガスを、流量制御装置を介してチャンバに導入する。熱フィラメントCVD法により、基板上に、硼素原子及び窒素原子を共に10,000ppm以上の濃度で含有し、かつ硼素原子の濃度が窒素原子の濃度よりも10,000ppm以上高いダイヤモンド膜を形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

硼素原子及び窒素原子を共に10,000ppm以上の濃度で含有し、かつ前記硼素原子の濃度が前記窒素原子の濃度よりも10,000ppm以上高い ことを特徴とする導電性ダイヤモンド。

IPC (4)：

H01B1/04 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04 ,  H01B13/00

FI (4)：

H01B1/04 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04 G ,  H01B13/00 Z

F-Term (17)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB21 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA20 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TK01 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030FA17 ,  4K030JA06 ,  5G301BA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-141501   Applicant：株式会社日立製作所