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J-GLOBAL ID：200903050131762448

透明導電膜付き基板及びその作製方法,それを用いたエッチング方法並びに光起電力装置

Inventor： 丸山 英治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000210442
Publication number (International publication number)：2002025350
Application date： Jul. 11, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 基板との高い密着性及び光電変換膜との良好なオーミック接合性を両立でき、しかも表面のエッチングが容易である透明導電膜を有する透明導電膜付き基板を提供する。【解決手段】 ガラス基板1上に、DCスパッタリング法により、形成温度250°Cで厚さ5000ÅのZnO:Ga膜からなる第1透明導電層2aを形成する(a)。第1透明導電層2a上に、DCスパッタリング法により、形成温度100°Cで厚さ4000ÅのZnO:Ga膜からなる第2透明導電層2bを形成する(b)。高温形成した第1透明導電層2aと低温形成した第2透明導電層2bとにてガラス基板1上の透明導電膜2を構成した透明導電膜付き基板10を作製する。この透明導電膜2にウエットエッチングを施して.その表面に凹凸形状を形成する(c)。

Claim (excerpt)：

透明導電膜を基板に設けた透明導電膜付き基板において、前記透明導電膜は、前記基板に積層形成された複数の透明導電層を有しており、前記複数の透明導電層の中の前記基板に最も近い透明導電層は、前記複数の透明導電層の中の前記基板から最も遠い透明導電層より高い形成温度にて形成されていることを特徴とする透明導電膜付き基板。

IPC (7)：

H01B 5/14 ,  B32B 7/02 104 ,  C03C 17/34 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 31/04

FI (7)：

H01B 5/14 A ,  B32B 7/02 104 ,  C03C 17/34 Z ,  C23C 14/06 M ,  C23C 14/08 C ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 31/04 M

F-Term (59)：

4F100AA25 ,  4F100AG00 ,  4F100AR00B ,  4F100AR00C ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DD00 ,  4F100EJ15 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11B ,  4F100JA20B ,  4F100JA20C ,  4F100JG01B ,  4F100JG01C ,  4F100JL11 ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  4G059AA08 ,  4G059AB09 ,  4G059AB11 ,  4G059AC12 ,  4G059GA01 ,  4G059GA02 ,  4G059GA04 ,  4G059GA12 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA18 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051BA14 ,  5F051CA16 ,  5F051CB15 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA08 ,  5F051FA17 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC05 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03