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J-GLOBAL ID：200903050133471289

半導体超微粒子の製造方法および製造装置

Inventor： 中條 茂樹 ,  山口 由岐夫
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (2)： 米田 潤三 ,  皿田 秀夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002375900
Publication number (International publication number)：2004202406
Application date： Dec. 26, 2002
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：

【課題】狭い粒径分布をもち吸発光特性に優れた半導体超微粒子を高い生産性で製造することが可能な製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】半導体超微粒子の製造方法を、半導体原料と液相媒質とを加熱された反応板上に滴下し、この反応板上で半導体結晶を発生、成長させ、その後、反応板を通過した反応溶液を回収するものとし、これにより、反応板の長さ、温度条件等による制御で反応を任意のところで容易に停止することができ、所望の狭い粒径分布をもつ半導体超微粒子の製造が可能となる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

液相媒質中で半導体原料を加熱して半導体結晶を発生、成長させる半導体超微粒子の製造方法において、 半導体原料と液相媒質とを加熱された反応板上に滴下し、該反応板上を流下させることにより半導体結晶を発生、成長させ、その後、前記反応板を通過した反応溶液を回収することを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。

IPC (2)：

B01J19/00 ,  C09K11/08

FI (2)：

B01J19/00 N ,  C09K11/08 A

F-Term (18)：

4G075AA27 ,  4G075BB01 ,  4G075BB02 ,  4G075BB05 ,  4G075BB10 ,  4G075BD01 ,  4G075BD16 ,  4G075BD26 ,  4G075CA02 ,  4G075CA51 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EC09 ,  4G075EC11 ,  4H001CA02 ,  4H001CF01 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体超微粒子の製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-154764   Applicant：三菱化学株式会社