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J-GLOBAL ID：200903050138011669
半導体加速度センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997159857
Publication number (International publication number)：1999006844
Application date： Jun. 17, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 陽極接合時の膜部の張り付きを防止すると共に、感度、信頼性に優れた加速度センサを提供する。【解決手段】 シリコン基板11をエッチングして台座部12を有する膜部13と、膜部13を囲む枠部14とを一体形成し、台座部12に重錘体16を取付け、枠部14にガラス製基台21を陽極接合して取付ける。基台21は膜部13と対向する凹部22を有し、凹部22の底面に形成された凸部31上に、膜部13とコンデンサをなす固定電極23が形成されている。従って、陽極接合時に膜部13が基台21側に引き寄せられるものの、固定電極23に当接して凹部22の底面(ガラス面)に到達しないため、張り付きが発生することはない。
Claim (excerpt)：
シリコン基板の一面側がエッチング加工されて、中央に台座部を有する方形状の膜部と、その膜部を囲む枠部とが一体形成され、板面中央に上記膜部と対向する凹部を有し、その凹部に固定電極が設けられたガラス製基台が、その周縁部が上記シリコン基板の他面側において上記枠部に陽極接合されて取付けられ、上記台座部に重錘体が取付けられ、加速度入力による上記重錘体の変位によって生ずる上記膜部の変位を、上記固定電極と上記膜部との間の静電容量の変化により検出して入力加速度を検知する構造とされた半導体加速度センサであって、上記凹部の底面に凸部が形成され、その凸部上に、その上面をほぼ覆って上記固定電極が形成されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
FI (2)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
