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J-GLOBAL ID：200903050142858455
化学増幅系レジストとレジストパターンの形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017984
Publication number (International publication number)：1993216233
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 化学増幅系レジストに関し、解像性に優れたレジストパターンを形成することを目的とする。【構成】 基材樹脂,架橋剤,酸発生剤,溶解抑止剤など溶媒を除いてレジストを構成する総ての成分を110 °C以下では相転移を生じない材料から形成し、被処理基板上に化学増幅系レジストを被覆し、選択露光した後に行なうベーキングを100 °C以上で且つ溶媒を除くレジスト構成成分の相転移温度以下の温度で行なうことを特徴としてレジストパターンを形成する。
Claim (excerpt)：
基材樹脂,架橋剤,酸発生剤,溶解抑止剤など溶媒を除いてレジストを構成する総ての成分が110 °C以下では相転移を生じない材料から形成されていることを特徴とする化学増幅系レジスト。
IPC (6)：
G03F 7/038 505
, G03F 7/004 503
, G03F 7/023 511
, G03F 7/028
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
