多層配線構造およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992281802
Publication number (International publication number)：1993198685
Application date： Oct. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】ヴィア部において異種金属界面が存在せず、ヴィア抵抗が低く、ストレスマイグレーション信頼性が高いとともにエレクトロマイグレーション信頼性が高い多層配線構造およびその製造方法を提供する。【構成】アルミニウム合金膜3-1,7-1および高融点金属合金膜3-1,7-2の積層体でそれぞれ下層金属配線3および上層金属配線7を構成し、層間絶縁膜4に形成したヴィア孔の底部および上部にアルミニウム合金膜を露出させ、ヴィア孔を埋めるプラグ6をアルミニウムで形成してヴィア部での接続をアルミニウム合金とアルミニウムとの接触で構成する。

Claim (excerpt)：

アルミニウムまたはアルミニウム合金膜を主体とする上層金属配線と、アルミニウムまたはアルミニウム合金膜を主体とする下層金属配線と、これら下層金属配線と上層金属配線との間に、これらを分離するように設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜中に、前記下層金属配線と上層金属配線とを連結するように形成されたヴィア孔と、このヴィア孔内に埋め込まれて前記下層金属配線と上層金属配線とを接続する、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるプラグとを具え、前記下層金属配線が、アルミニウムまたはアルミニウム合金膜と高融点金属膜または高融点金属合金膜とをそれぞれ1層以上積層した構造を持ち、前記下層金属配線および上層金属配線と前記プラグとの接続が、いずれもアルミニウム同士の接触またはアルミニウム合金同士の接触またはアルミニウムとアルミニウム合金との接触によって成されていることを特徴とする多層配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/90 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-243551
特開昭63-318139
特開平3-203325

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