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J-GLOBAL ID：200903050166419843

レジストパターンの表面欠陥減少方法及びそれに用いる表面欠陥減少用処理液

Inventor： 前盛 諭 ,  新田 和行 ,  中緒 卓
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000028328
Publication number (International publication number)：2001215734
Application date： Feb. 04, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来のレジスト材料や処理工程を利用し、簡単な処理を付加するだけでディフェクト、すなわちレジストパターンの表面欠陥を減少しうる方法を提供する。【解決手段】 表面に化学増幅型ポジ型レジスト膜をもつ基板に、マスクパターンを介して選択的に露光させ、露光後加熱処理を行ったのち、アルカリ現像処理してレジストパターンを形成する方法において、露光後加熱処理したポジ型レジスト膜を酸処理する。

Claim (excerpt)：

表面に化学増幅型ポジ型レジスト膜をもつ基板に、マスクパターンを介して選択的に露光させ、露光後加熱処理を行ったのち、アルカリ現像処理してレジストパターンを形成する方法において、露光後加熱処理したポジ型レジスト膜を酸処理することを特徴とするレジストパターン表面欠陥減少方法。

IPC (2)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570

F-Term (10)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA04 ,  2H096FA01 ,  2H096FA05 ,  2H096GA08 ,  2H096JA03 ,  5F046CA04 ,  5F046LA18