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J-GLOBAL ID：200903050170698242

半導体デバイスの製造装置および半導体デバイスの製造方法

Inventor： 丸山 隆弘 ,  高田 誠治 ,  緒方 健一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 児玉 俊英
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000210642
Publication number (International publication number)：2002025990
Application date： Jul. 12, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハを熱処理後、ブレードにウエハを載置した際に生じるウエハ面内での温度分布を均等化し、熱ストレスを低減する。【解決手段】 ウエハ14を移送するブレード6のウエハ14を載置する部分の形状が、ウエハ14が全面に接触するようウエハ形状を倣ったものであるとともに、複数のスリット17が設けられ、スリット幅を20mm以下とする。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハを熱処理する半導体デバイスの製造装置であって、前記ウエハを熱処理する反応室と、前記ウエハを反応室に移送するための搬送室とを有し、前記搬送室には前記ウエハを載置して前記反応室に移送するブレードが設けられており、前記ブレードの前記ウエハを載置する部分の形状が前記ウエハが全面に接触するよう前記ウエハの形状を倣ったものであるとともに複数のスリットが設けられており、前記スリットの幅を20mm以下とすることを特徴とする半導体デバイスの製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

F-Term (11)：

5F004AA16 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F045BB11 ,  5F045EB08 ,  5F045EJ02 ,  5F045EK07 ,  5F045EN04