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J-GLOBAL ID：200903050178336161

無鉛半田

Inventor： 劉 忠 植 ,  金 美 延 ,  李 道 宰
Applicant, Patent owner： 三星電機株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995339644
Publication number (International publication number)：1997019791
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、Sn-Ag-Bi系無鉛半田の組成を適切に制御することによって、既存のSn-40Pb半田よりも機械的強度が増加し、特に、一般電子部品の電子機器配線用として好適なSn-Ag-Bi系無鉛半田を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、重量%で、Ag:3.1〜7%,Bi:6〜30%および残部Snからなる組成を有する無鉛半田であり、また、Ag,BiおよびSnを含み、固相線温度が138〜200°Cであり、液相線温度が144〜220°Cである無鉛半田であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

重量%で、Ag:3.1〜7%,Bi:6〜30%および残部Snからなる組成を有する無鉛半田。

IPC (3)：

B23K 35/26 310 ,  C22C 13/02 ,  B23K101:36

FI (2)：

B23K 35/26 310 A ,  C22C 13/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 無鉛はんだ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-269023   Applicant：石川金属株式会社