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J-GLOBAL ID：200903050181595984

窒化ガリウム系材料及びその製造方法

Inventor： 柴田 浩幸 ,  早稲田 嘉夫 ,  下山 謙司 ,  清見 和正 ,  長岡 裕文
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学 ,  三菱化学株式会社
Agent (4)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009169526
Publication number (International publication number)：2009269816
Application date： Jul. 17, 2009
Publication date： Nov. 19, 2009
Summary：

【課題】より高い熱伝導率を有するGaN系材料の製造方法を提供する。【解決手段】HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth)法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、H2ガスを含むキャリアガスG1と、GaClガスG2と、NH3ガスG3とを反応室10に供給し、成長温度を900(°C)以上かつ1200(°C)以下とし、成長圧力を8.08×104(Pa)以上かつ1.21×105(Pa)以下とし、GaClガスG2の分圧を1.0×102(Pa)以上かつ1.0×104(Pa)以下とし、NH3ガスG3の分圧を9.1×102(Pa)以上かつ2.0×104(Pa)以下として実施する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

25(°C)における熱伝導率が2.8×102(W/m・K)以上であることを特徴とする窒化ガリウム系材料。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

F-Term (48)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB06 ,  4G077HA14 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB03 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA03 ,  4K030DA08 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045GB11