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J-GLOBAL ID:200903050183906219

露光方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大森 聡
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993053451
Publication number (International publication number):1994267824
Application date: Mar. 15, 1993
Publication date: Sep. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 実際に露光対象とする感光基板を用いて現像を行うことなく投影光学系のベストフォーカス位置を求める。【構成】 レジストが塗布された露光用のウエハW上の周辺の未露光領域ND5内の異なる計測ショット領域71A〜71Iに、それぞれ投影光学系に対するフォーカス位置を変えて焦点計測用マークの潜像パターン72Yを露光する。これら潜像パターン72YにLIA系から2つの検出ビームBM1,BM2 を照射し、潜像パターン72Yから平行に発生する1組の回折光B1(-1),B2(+1) の干渉光の強度をフォーカス位置毎にプロットする。その干渉光の強度が最大になるときのフォーカス位置がベストフォーカス位置である。
Claim (excerpt):
露光光で照明されたマスク上の被露光パターンの像を投影光学系を介して感光材が塗布された基板上に露光する方法において、露光領域の一部に焦点計測用マークが形成された露光用マスクを前記投影光学系の物体面側に配置する第1工程と、前記基板に塗布された前記感光材上の露光領域以外の予備的露光領域において、前記投影光学系に対するフォーカス位置及び露光位置をそれぞれ変えて前記露光光のもとで前記投影光学系を介して前記焦点計測用マークの像を順次露光することにより、前記感光材上の複数の位置にそれぞれ前記焦点計測用マークの潜像を形成する第2工程と、前記感光材上の複数の位置に形成された前記焦点計測用マークの潜像のそれぞれに検出光を照射し、前記焦点計測用マークの潜像から戻される前記検出光に基づいて、前記投影光学系に対するベストフォーカス位置を求める第3工程と、前記基板のフォーカス位置を前記第3工程で求められたベストフォーカス位置に設定し、前記基板上に塗布された前記感光材上の露光領域に、前記露光光のもとで前記投影光学系を介して前記被露光パターンの像を露光する第4工程とを有することを特徴とする露光方法。
IPC (5):
H01L 21/027 ,  G03B 27/32 ,  G03F 7/207 ,  G03F 9/02 ,  G11B 5/31

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