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J-GLOBAL ID：200903050188631374

付着層の除去方法

Inventor： 杣谷 聡文 ,  町田 克之 ,  橋本 千里 ,  八木 祥次
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991349509
Publication number (International publication number)：1993160124
Application date： Dec. 09, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 接続孔底部に露出した金属層を傷めることなく、付着層を除去するようにする。【構成】 基板1上の金属層2上に形成された絶縁膜3に、所定の形状の接続孔5を少なくともプラズマ処理を含む加工法により形成し、このプラズマ処理中に発生する付着層6を除去する際に、付着層6の除去を、上記金属層2と吸着反応し易いガスを用いたスパッタエッチングにより行う。

Claim (excerpt)：

基板上の金属層上に形成された絶縁膜に、所定の形状の接続孔を少なくともプラズマ処理を含む加工法により形成する工程と、該プラズマ処理中に発生する付着層を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法において、上記付着層の除去を、上記金属層と吸着反応し易いガスを用いたスパッタエッチングにより行うことを特徴とする付着層の除去方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/28