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J-GLOBAL ID：200903050212651357

樹脂封止形レーザーダイオード装置

Inventor： 国原 健二 ,  進藤 洋一 ,  綟川 弘美 ,  梅垣 卓 ,  永野 悟
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994065810
Publication number (International publication number)：1995321407
Application date： Apr. 04, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】長時間寿命の樹脂封止形半導体レーザーダイオード装置とすること。【構成】前方発光端面側の封止樹脂をレーザー光エネルギーによる劣化から保護するために、前方発光端面上に熱硬化型のゴム状有機珪素樹脂を被覆すると共にその膜厚を発光端面の活性層と同一平面上で50μm 以上とする。また、レーザーの後方発光側のフォトダイオード面上でのゴム状有機珪素樹脂の形状をフォトダイオード受光面に対して凸形とする。さらに、レーザー光の遠視野像の乱れを防ぐために、発光端面の端面保護膜を少なくともその最表面で2酸化珪素を主成分とする。

Claim (excerpt)：

活性層のレーザー光を前後方向に出射する発光端面を有するレーザーダイオードチップと、前記発光端面を保護する端面保護膜と、このチップを支持基板を介して支持・制御するリードフレームと、前記チップを外気に対し密封する樹脂と、前記レーザー光の波長帯に対する吸収係数の低い有機珪素樹脂からなりレーザー光による発光端面近傍の封止樹脂の破壊を防止する端面破壊防止層とを有する樹脂封止形レーザーダイオード装置において、前記有機珪素樹脂がゴム状で、ジメチルポリシロキサンを主成分として含むことを特徴とする樹脂封止形レーザーダイオード装置。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31