Pat

J-GLOBAL ID：200903050214840653

ヒートシンクを備えた半導体装置アセンブリ

Inventor： マーク アール シュナイダー
Applicant, Patent owner： エルエスアイ ロジック コーポレーション
Agent (1)： 吉田 豊 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992296400
Publication number (International publication number)：1993206338
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】 半導体装置がプリンティド・ワイヤリング・ボードの一面にマウントされ、ヒートシンク構造体がその他面側にマウントされる。ボードには複数個の貫通孔が穿設されると共に、ヒートシンク構造体には同数個の突起が形成され、該貫通孔に圧力バメされてダイからの熱を突起を介してヒートシンク構造体の放熱部に伝達する。【効果】 熱伝達特性が向上すると共に、熱応力が最小となる。

Claim (excerpt)：

接着材を介してその下面をプリンティド・ワイヤリング・ボードの基層の一面上にマウントさせてなる半導体ダイと、該基層の該一面からその他面に該ダイの占める領域において該基層を貫通するn個の貫通孔と、および該基層の他面側に配されてなり、比較的大きなプレート状の熱放散部と、該プレート状部から前記貫通孔を通って前記ダイの下面に向けて延びるn個の突起とを有したヒートシンク構造体と、を備えてなる半導体装置アセンブリであって、前記基層が厚さtを有し、前記突起が高さhを有し、およびそれぞれの突起の高さhを前記基層の厚さt未満とし、前記突起が前記貫通孔に挿入されたとき、前記突起が前記ダイを押し上げることがなく、かつ前記突起とダイの間に接着材の余り用の間隙を形成できる様に構成したことを特徴とする半導体装置アセンブリ。