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J-GLOBAL ID：200903050221958244

電子増倍半導体デバイスおよびこれを用いた複合デバイス

Inventor： 水島 宜彦 ,  廣畑 徹 ,  中嶋 和利 ,  鈴木 智子 ,  飯田 孝 ,  藁科 禎久 ,  杉本 賢一
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991318043
Publication number (International publication number)：1993152588
Application date： Dec. 02, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は容易な条件設定により内部電子増倍という機能を持った全く新しい半導体を実現させることを目的としたものであり、また、その半導体を利用した内部電子増倍機能を有する複合電子デバイスを提供することを目的とする。【構成】 高抵抗のGaAsとしてCrOドープの半絶縁性GaAs1-1を用い、その両面にAuGeによるオーミック接合を有する電極1-4を形成する。この電極間に加速電源3-1により1kV/cm以上の電界を印加し、これに横磁界により容易にカットオフされる電流が電極間に流れる点に動作点を設定する。この時、半導体1-1は内部電子増倍機能を有する半導体へと変化する。この時、素子を流れる電流は増倍されている状況にあり、信号電流としてこの電極間に流れる電流とする事により、電子増倍素子を実現する事ができる。

Claim (excerpt)：

半絶縁性III -V族化合物半導体に一対の電極を設け、この電極間に2.5kV/cm以下0.5kV/cm以上の電界を印加する手段と、前記電極間に流れる電流が横磁界印加によりカットオフされるべき領域に前記電界強度を設定する手段と、信号入力電子を注入する手段とを備えることにより、内部電子増倍機能を持つ様に構成されたことを特徴とする電子増倍半導体デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-014578
  
• 特開昭56-043781