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J-GLOBAL ID：200903050226964668

不揮発性メモリの書き込み方法

Inventor： 河村 博年 ,  井熊 俊明
Applicant, Patent owner： 神鋼電機株式会社
Agent (1)： 斎藤 春弥 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993177701
Publication number (International publication number)：1995084894
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 不揮発性メモリの書換中に電源機能がダウンするようなことがあっても,デ-タ類の書込不良を起こす恐れがないようにする。【構成】 不揮発性メモリに運用メモリ領域5とバックアップ用メモリ領域4とを設け,運用メモリ領域5とバックアップ用メモリ領域4とを時間的に連続して書き込むようにした。上述した先行して書き込むメモリ領域には,デ-タ書き込み後にフラグ4eをセットし,後続して書き込むメモリ領域にデ-タ書き込み完了後に前記フラグ4eをリセットするようにするのが望ましく,また,バックアップ用メモリ領域4に,少なくとも,書き込みデ-タ4aと,書き込みデ-タの標識4bと,チェックデ-タ4dとを書き込むようにするのが望ましい。さらに,バックアップ用メモリ領域4に運用メモリ領域5よりも先行してデ-タを書き込むようにするのが望ましい。

Claim (excerpt)：

不揮発性メモリの書き込み方法において,不揮発性メモリに運用メモリ領域とバックアップ用メモリ領域とを設け,デ-タ書き込み時には,運用メモリ領域とバックアップ用メモリ領域とを時間的に連続して書き込むようにしたことを特徴とする不揮発性メモリの書き込み方法。

IPC (3)：

G06F 12/16 340 ,  G06F 12/16 310 ,  G11C 16/06